静乐编辑报道电源管理芯片是现代电子产品和设备不可或缺 关键器件。

        发布时间:2020-11-16 11:40:08 发表用户:wer12004 浏览量:260

        核心提示:电源管理芯片是现代电子产品和设备不可或缺 关键器件。伴随着越来越多的传统终端开始向电气化和智能化方向发展,这就为电源管理芯片带来了巨大的商机。天风证券的报告中指出,目前,电源管理芯片主要应用于计算机、网络通信、消费电子和工

        电源管理芯片是现代电子产品和设备不可或缺 关键器件。

        SteveTom表示,“之前GaN对于企业同类产品 优势,除了之前提到 关于成本、供应链、可靠性之外,新大 优势来自于集成,因为集成可以让芯片变得非常智能,可以通过现在FET所处 环境、电流和温度进行相应 措施,这不仅可以让可靠性更提高 个等级,并且可以使得电源设计者省去很多设计所需要 步骤。所以,我们 产品与企业同类产品相比新大 优势是集成了驱动和保护,使得我们是 个更智能 产品,而不仅仅是 个GaNFET。”

        TI指出,在工业设计中,LMG R零 零可在更低功耗和更小电路板空间占用 情况下,在AC/DC电力输送应用中实现更高 效率和功率密度。

        TI指出,随着功率需求 增加,电路板面积和厚度日益成为限制因素。电源设计人员必须向其应用中集成更多 电路,才能实现产品 差异化,并提高效率和增强热性能。在TI看来,功率密度、低EM 低IQ、低噪声高精度与隔离功能是未来电源管理芯片发展 个重要因素。

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        产热更少,借助我们先进 器件和氮化镓技术,实现出色 器件开关性能。

        从早些时候TI公布 氮化镓发展路线图中,我们便得以发现,其氮化镓产品将要向汽车、电网存储和太阳能等领域发展。

        伴随着越来越多 传统终端开始向电气化和智能化方向发展,桥检车租赁快讯网产业讯息,这就为电源管理芯片带来了巨大 商机。天风证券 报告中指出,目前,电源管理芯片部分应用于计算机、网络通信、消费电子和工业控制等领域。汽车电子领域虽然现在所占企业份额较小,但是近年来其发展速度却不容忽视。

        向工业领域继续拓展

        在本次发布会当中,SteveTom特别强调了LMG R零 零-Q 集成驱动优势。他指出,比较离散 解决方案,集成驱动可以实现高速 切换频率以及较大 压摆率。他预测,这些优势可以为汽车提供更快 充电时间,更高 可靠性以及更低 成本。所以,这些可以在系统长期稳定性、可靠性方面,为汽车解决方案提供很大 优势。

        对于汽车方面需要非常多层级 电源转化,车载充电器可能是 方面,进行 个AC/DC PFC转换,另外还有GaN可以被应用在高压 DC/DC 转化方面,因为汽车是整体需要非常多层级 电源转化,所以GaN可以被应用在汽车 许多方面。

        德州仪器高压电源应用产品业务部氮化镓功率器件产品线经理SteveTom表示,“TIGaN所关注 是如何是提供并在应用中达到更高 功率密度。如果你仔细观察周围 世界会发现,电源管理是非常重要 ,包括现在在汽车和工厂里面 应用,以及在更智能更小巧 消费品中,电源管理无处不在。”

        据其官方资料介绍,TI历经 多年 投资和开发,提供了独有 整体解决方案——将内部硅基氮化镓(GaN-on-Si)器件 、封装与优化 硅基驱动器技术相结合,桥检车租赁快讯网消息人士称,从而能在新应用中成功采用GaN。

        据悉,采用TIGaNFET 封装产品,其热阻抗比性能新接近 同类产品还要低 %,因此可使工程师使用更小 散热器,同时简化散热设计。无论应用场景如何是,这些新器件均可提供更大 散热设计灵活性,并可选购底部或顶部冷却封装。此外,FET集成 数字温度报告功能还可实现有源电源管理,从而使工程师能在多变 负载和工作条件下优化系统 热性能。

        提到电源管理芯片,就不得不提这个领域中 市场龙头——TI。早在以前,TI就开启了在氮化镓领域 探究。在这 年当中,TI不仅增加了其在工业、电信、服务器和个体电子产品中 应用,还完成了超过 零零零万小时 可靠性测试。

        效率更高,借助多级转换器拓扑和先进 功率级栅极驱动器,使用较小 无源器件实现较高 开关频率,同时又不影响效率。

        更小 系统占用空间,利用高级 多芯片模块技术,节省布板空间、简化电路板布局并降低寄生效应 影响。

        根据其官方资料介绍,与现有解决方案相比,新 GaNFET系列采用快速切换 . MHz集成栅极驱动器,可为工程师提供两倍 功率密度和高达 % 效率,并将电源磁性器件 尺寸减少 %。据介绍,该款新产品也是TI针对氮化镓产品 战略性投资。

        根据这 发展计划,日前,TI推出了其面向汽车和工业应用 下 代 零V和 零零V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),进 步丰富拓展了其高压电源管理产品线。其中,LMG R零 零-Q 是其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理 车用GaNFET。

        根据这种企业发展统计,近年来,致力于电源管理芯片 厂商也开始从低端消费电子开始向汽车领域靠拢。但对于车用半导体来说,耐高温以及更大功率是他们对相关器件 需求。这些越来越高 要求也使得氮化镓登上了电源管理芯片 舞台,成为了新 代电子信息技术革命中 关键 环。

        此外LMG R零 零 集成化设计还可以进行热监测,在过温 时候提供保护。该器件也可以在集成驱动中也可以监测电流,桥检车租赁快讯网从相关媒体获悉,在过流或者短路 时候,其GaNFET可以启动自我保护程序。

        汽车GaNFET将带来如何改变

        热性能更好,利用先进 冷却技术(包括增强型HotRod?QFN封装、电源晶圆芯片级封装和顶部散热),帮助封装体散热。

        电源管理芯片 关键指标

        这款LMG R零 零在工业中具有非常广泛 应用,包括 电信、服务器等领域,同样,在电源AC/DC转换中也拥有非常广泛 应用场景。SteveTom表示介绍,“通常在传统 应用中,在非常高 效率、功率密度以及非常低 成本中必须要有所取舍。但是,GaN可以达到 % 效率,同时在成本方面,氮化镓器件也 分具有竞赛力。”

        通过在先进工艺以及封装等方面 探索,TI在其电源管理芯片 功率密度上得到了突破。根据TI官网介绍,TI功率密度技术 部分优势包括,

        除了在汽车领域有所突破外,工业领域也是TIGaNFET 另 个发展方向。LMG R零 零便是TI针对工业领域推出 新产品。

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